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SFM8P1102/SFM8P1102B

芯片描述

SFM8P1102 是一個基于CMOS 技術(shù)的 8 位微控制器，其核心是一個嵌入式的8位 CPU ，片內(nèi)包含80×8Bit 的SRAM，2k×16Bit OTP ROM，18 個輸入/輸出口（P21 為開漏輸出）、中斷控制器、片內(nèi)RC 振蕩器、內(nèi)部晶體振蕩器、定時器/計數(shù)器、看門狗電路、低壓檢測電路、數(shù)模轉(zhuǎn)換電路、比較器/運放電路、脈寬調(diào)制電路。它是一個功能強大的微控制電路。主要應(yīng)用于移動電源、高端智能充電器、電動車主控板等。

芯片特點

○	2k×16-bit OTP ROM	○	80×8-bit SRAM
○	8 級堆?？臻g	○	可編程 WDT 預(yù)分頻器
○	可編程 WDT 時間（4.5ms、18ms），可控制 WDT 自由運行時間	○	帶信號源選擇、觸發(fā)沿選擇、溢出中斷及預(yù)分頻器的 8 位實時時鐘/計數(shù)（TCC）
○	工作電壓范圍：2.1V~5.5V（-0℃～70℃）2.3V~5.5V（-40℃～85℃）	○	工作頻率范圍（2 分頻）：晶振模式：DC~16MHz，4.5V；DC~8MHz，3V； DC~4MHz，2.1V ERC 模式：DC~2MHz，2.1V IRC 模式：16MHz，4MHz，1MHz，8MHz
○	系統(tǒng)高低頻率的界限是 400kHz	○	低功耗：小于 1.5mA（4MHz/5V）典型 15?A （32kHz/3V）典型 2?A（睡眠模式，WDT 關(guān)閉，LVD 關(guān)閉）
○	內(nèi)置 RC 振蕩電路：16MHz、1MHz、4MHz、8MHz	○	低壓復(fù)位：4.0V±0.3V、3.5V±0.3V、2.7V±0.3V @25℃
○	低壓檢測：4.5±0.2V、4.0±0.2V、3.3±0.2V、2.2±0.2V @25℃	○	中斷源： TCC 溢出中斷（IDLE 模式喚醒）外部中斷（SLEEP/IDLE 模式喚醒）比較器輸出狀態(tài)改變中斷（SLEEP/IDLE 模式喚醒） ADC 轉(zhuǎn)換完成中斷（SLEEP /IDLE 模式喚醒） PWM1~3 周期中斷（IDLE 模式喚醒） PWM1~3 占空比中斷（IDLE 模式喚醒） P0 端口輸入狀態(tài)改變中斷（SLEEP /IDLE 模式喚醒） LVD 中斷（SLEEP /IDLE 模式喚醒）
○	雙向 I/O 口： 17 位可編程控制 pull-high I/OS（P1<7:0>，P0<7:0>，P20） 16 位可編程控制 open-drain I/OS（P1<7:0>，P0<7:0>） 17 位可編程控制 pull-low I/OS（P1<7:0>，P0<7:0>，P20） 14 位可編程控制 high-sink current I/OS （P1<7:0>，P0<7:6>，P0<4:1>）	○	指令周期長度選擇：2/4/8/16 個振蕩時鐘
○	封裝形式：DIP/SOP/SSOP20，DIP/SOP18