芯片描述
芯片特點
| ○ | 1k×14-bit OTP ROM | ○ | 48×8-bit SRAM | |
| ○ | 5級堆?？臻g | ○ | 可編程WDT預分頻器 | |
| ○ | 可編程WDT時間（4.5ms、18ms、72ms、288ms），可控制WDT自由運行時間 | ○ | 帶信號源選擇、觸發(fā)沿選擇以及溢出中斷的8位實時時鐘/計數器（TCC） | |
| ○ |
工作電壓范圍： 1.8V~5.5V（-0℃～70℃）；2.3V~5.5V（-40℃～85℃） |
○ |
工作頻率范圍（2分頻）： 20KHz～10MHz @5V；20KHz～4MHz @3V；20KHz～2MHz @1.8V |
|
| ○ |
低功耗： 小于2mA（4MHz/5V） 小于30?A（32kHz/3V） 小于1?A（睡眠模式，WDT關閉，LVD關閉） |
○ | 內置RC振蕩電路：455kHz、1MHz、4MHz、8MHz | |
| ○ | 低壓復位：1.8V±0.3V、1.6V±0.3V @25℃ | ○ | 低壓檢測（可復用為低壓復位）：2.4±0.2V、2.7±0.2V、3.6±0.2V、3.9±0.2V @25℃ | |
| ○ |
6個中斷源： 外部中斷 PWM中斷 TCC溢出中斷 LVD中斷（可喚醒） WDT中斷（可喚醒） 輸入端口狀態(tài)改變產生中斷（可喚醒） |
○ |
雙向I/O口： 11位可編程控制pull-high I/OS（P1<7:4>，P1<2:0>，P0<3:0>） 7位可編程控制open-drain I/OS（P1<7:4>，P1<2:0>） 11位可編程控制pull-low I/OS（P1<7:4>，P1<2:0>，P0<3:0>） |
|
| ○ | 指令周期長度選擇：2/4/8個振蕩時鐘 | ○ | 封裝形式：SFM8P154BACO（SOP14）、 SFM8P154BACP（DIP14） |
芯片框圖
